SiLM2660/61是用于电池充电/放电系统控制（zhì）的低功（gōng）耗、高边N沟道FET驱（qū）动器。高边保护功能可避免系统的接地引脚（jiǎo）断开连接，以确保电池组和（hé）主机系统之间的持续通信。SiLM2660具有额外的PFET控制输出，以允许对深度（dù）放电的电池进行低（dī）电流预充电，并且还集成了用于主机监控的电池PACK+电压检测。
独立的使能（néng）输（shū）入接口允许电（diàn）池充电和放电FET分别导通和关（guān）断（duàn），为电池系统（tǒng）保护（hù）提供可靠性和设计（jì）灵活性。
高边NFET驱动（dòng）器，具（jù）有极短的开（kāi）启和（hé）关闭时间，用于迅速（sù）保护电池。
预充电PFET驱动器为深度耗尽的电池组提供电流（liú）限制的预充电功（gōng）能(仅适用于SiLM2660)。
充电和（hé）放电的（de）独立使能控制。
基于外部电容器（qì）可扩展的（de）电（diàn）荷泵，可适用多（duō）颗NFET并联驱动（dòng）。
高的输入（rù）耐压值（最（zuì）大100V）。
可配置的电（diàn）池组电压检测功能（仅适用于SiLM2660）。
支持（chí）可配置（zhì）的通用和独立充电和放电路径管理。
低功耗：正常模式：40uA；待机模式：小（xiǎo）于10uA。
400 080 9938
