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SiLM2014A

200V低（dī）压驱动（dòng）芯（xīn）片

样片申请（qǐng）

SiLM2014A_Datasheet

产品概述

产品特（tè）性

安规认证

典（diǎn）型应用图

产品概述

SiLM2014A 是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用（yòng）专有的高压集成电路和锁存免（miǎn）疫（yì）的CMOS技术可提供可靠（kào）的单芯片驱动方案。逻（luó）辑输入电平（píng）与标（biāo）准CMOS或LSTTL输出兼容，最（zuì）低（dī）支（zhī）持3.3V逻辑。输出驱（qū）动器（qì）具有高（gāo）脉冲电（diàn）流缓（huǎn）冲（chōng）级，以减小驱动器交叉导通（tōng）。浮动通道（dào）可用于（yú）驱动高边配置的（de）N型沟道功率MOSFET或IGBT，工（gōng）作电（diàn）压可高达200V。

产品特性

为自举操作（zuò）设计（jì）的浮（fú）动通道（dào）

完（wán）全运行（háng）时（shí）电（diàn）压高达 200V

容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影（yǐng）响

驱动电源范围从 10V 到 18V

欠压闭（bì）锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑输（shū）入兼容

驱动电流：1A/1.5A

防止交叉导通逻辑

两通道间匹（pǐ）配传（chuán）输延迟（chí）

输（shū）出信号与输入信号同（tóng）相

通过无（wú）铅（qiān）认证