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SiLM2004E

200V低压驱动芯片（piàn）

样片申请

SiLM2004E Datasheet

产品概述（shù）

产品特（tè）性

安规认证

典型应用图

产（chǎn）品概述

SiLM2004E 是（shì）一款高压、高（gāo）速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集成（chéng）电路和锁存免疫的CMOS技术（shù）可提供可（kě）靠的单芯片（piàn）驱（qū）动方（fāng）案。逻辑输入（rù）电（diàn）平与标准CMOS或LSTTL输出（chū）兼容，最低支持3.3V逻辑（jí）。输出（chū）驱动（dòng）器具有高脉冲电流缓冲（chōng）级，以减小驱动器交叉（chā）导通。浮动通道（dào）可用（yòng）于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电（diàn）压可高达200V。

产品特性

为自举操作设（shè）计的浮动通（tōng）道

完全运（yùn）行时电压高（gāo）达 200V

容许瞬间负电（diàn）压，不受 dV/dt 影响

驱动电源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V逻（luó）辑输入（rù）兼容

驱动电流：290 mA/600 mA

防止交叉导通（tōng）逻辑

两（liǎng）通道间匹配（pèi）传输延迟

通（tōng）过无铅认证

提（tí）供 SOP-8 封装选项