SiLM27519 器件是（shì）单通道高速低边门极驱动器，可有效（xiào）驱动（dòng） MOSFET 和 IGBT 等功率开关。SiLM27519 采用一种能够（gòu）从内部极大的（de）降低（dī）直通电流的（de）设计，将高（gāo）峰值（zhí）的源（yuán）电流和灌（guàn）电（diàn）流脉冲提（tí）供给电容负（fù）载，以实（shí）现轨到轨的驱动能力（lì）和（hé）典（diǎn）型（xíng）值仅为 18ns 的极小（xiǎo）传播延迟。
SiLM27519 在 12V 的 VDD 供电情况（kuàng）下，能够提供 4A 的峰值源电流（liú）和 5A 的峰值灌（guàn）电流。
低（dī）成本的门（mén）极驱动方案可用于替代 NPN 和 PNP 分离器件方案
4A 的峰值源（yuán）电流和（hé） 5A 的峰（fēng）值灌（guàn）电流能力
快速（sù）的（de）传（chuán）输延时（shí）（典型值为 18ns）
快速的上升和下降时间（典型值为 7ns/5ns）
4.5V 到（dào） 20V 的单电（diàn）源（yuán）范围
VDD 欠压闭（bì）锁功（gōng）能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入（rù）逻（luó）辑电压阈（yù）值
双输入（rù）设计(可选择反相或非反相驱动配置)
输入浮空时输（shū）出（chū）保持为低
工作温度范围为（wéi） -40°C 到140°C
提供（gòng） SOT23-5 的（de）封装选项
400 080 9938
