SLM2110是一款高压、高速的（de）功率MOSFET和IGBT驱动器，它（tā）提供独立（lì）的高边、低边输出驱动（dòng）信号。采用专有的（de）高压集成电（diàn）路和（hé）锁（suǒ）存免疫CMOS技术，提供可靠（kào）的单芯片驱动（dòng）方案。逻辑输入（rù）电平与标准CMOS或LSTTL输出（chū）兼容，最（zuì）低（dī）支持3.3V逻辑。输（shū）出驱（qū）动器（qì）具有高脉冲（chōng）电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通。延时匹配很方便应用于高频设（shè）备。浮动（dòng）通道可用于（yú）驱动高（gāo）边（biān）配置的（de）N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。
为自举供电设计的（de）浮动（dòng）通（tōng）道
全电压范围运行达（dá）600V
允许瞬（shùn）态负电压，不受dV/dt影响
驱动（dòng）电源范围从（cóng）10V到20V
欠压（yā）闭锁
3.3V、5V和15V逻辑兼容
逻辑地和功率地能承受±5V偏置（zhì）
防（fáng）止交（jiāo）叉（chā）导通逻（luó）辑（jí）
输入有（yǒu）下（xià）拉电阻的COMS斯密特触发器
逐周期边缘触发的关闭逻辑
两（liǎng）通道间匹配传输延时
输入输（shū）出同（tóng）相
典型（xíng）开通/关断（duàn）延时（shí）：140ns/140ns
典型（xíng）驱动电流（liú）：1A/1.6A
400 080 9938
