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SLM2015

160V低（dī）压驱动芯片

样片申请

SLM2015 Datasheet

产品概述

产品特性（xìng）

安（ān）规认证

典型应（yīng）用图

产（chǎn）品概（gài）述

SLM2015 是一款高压、高速（sù）的（de）功（gōng）率MOSFET和IGBT驱动（dòng）器。采用（yòng）专有的高压集（jí）成电路和锁存免疫的CMOS技术可提供可（kě）靠的单芯片驱动方案。逻辑（jí）输入电平（píng）与标准CMOS或（huò）LSTTL输出兼容，最低（dī）支持3.3V逻辑。输出驱动器具（jù）有高脉冲电流缓冲级，以减小驱（qū）动器（qì）交（jiāo）叉导（dǎo）通。浮动通道可用于驱动高（gāo）边配置的（de）N型沟道（dào）功率MOSFET或（huò）IGBT，工作电压可高达200V。

产品特（tè）性

为（wéi）自举操作设计的浮动通道

完全运行（háng）时电压高达 200V

容许瞬（shùn）间负电压（yā），不受 dV/dt 影响

驱动电源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁（suǒ）

3.3V、5V 逻辑（jí）输入兼容

驱动电流：1A/1.5A

防止交叉（chā）导通逻辑

两通道（dào）间（jiān）匹配传输延迟

输出信号与输入信号同相

通过无铅认证