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SLM2003E

200V低压驱（qū）动（dòng）芯片

样片（piàn）申（shēn）请

SLM2003E Datasheet

产品概（gài）述

产品特性（xìng）

安规认证

典型应（yīng）用图（tú）

产品概述

SLM2003E 是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集成电路和锁（suǒ）存免疫的CMOS技术可提供可靠（kào）的单芯（xīn）片驱动方案（àn）。逻辑输入电平与标准CMOS或（huò）LSTTL输出（chū）兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具有（yǒu）高脉冲电流（liú）缓冲级，以减小驱动器交叉导通。浮（fú）动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工（gōng）作电压可高（gāo）达200V。

产品特（tè）性

为（wéi）自举（jǔ）操（cāo）作设计的浮动（dòng）通道

完全（quán）运行时电（diàn）压高达 200V

容许（xǔ）瞬间负（fù）电压，不受 dV/dt 影响

驱动电源范围从（cóng） 10V 到 18V

欠压闭（bì）锁

3.3V、5V 和 10V 逻辑输入（rù）兼容

驱（qū）动电流：290 mA/600 mA

防止（zhǐ）交叉导通逻辑

两（liǎng）通道间匹配传（chuán）输（shū）延迟

输出信号与输入信号同相

通过无铅认证